UV Laser MPI Spectra and TOF Mass Spectra of Tetramethylsilane

紫外激光 作用 下 四 甲基 硅的MPI光谱和 TOF质谱研究

Spectrum study on Tetramethylsilane Multiphoton Ionization

四 甲基 硅 多光子电离的光谱研究

Multiphoton dissociation ( MPD ) of tetramethylsilane and two photon resonance three photon ionization of silicon atoms are studied with parallel plate vacuum cell at violet laser radiation in the wavelength range 410 ~ 404nm .

在410～404nm的紫激光 作用 下，利用平行板电极装置研究了Si（CH3）4的多光子解离（ MPD）及Si原子的双光子共振三光子电离。

Violet ( ultraviolet ) laser MPI of tetramethylsilane and resonant ionization of silicon atom

紫（外）激光 作用 下 Si （ CH 3 ） 4 的 MPI与Si原子的共振电离

Multiphoton Ionization and Dissociation of Tetramethylsilane at 410 ~ 373 nm Laser Radiation

410～ 373nm激光 作用 下 四 甲基 硅的多光子电离与解离

Multiphoton ionization spectrum and mass measurement of tetramethylsilane

四 甲基 硅的多光子电离光谱和质谱

On the structural studies of porphyrin compounds chemical ionization mass spectrometry using mixture of tetramethylsilane and methane as reagent gas provide information about M + 73 w_28 ~ + ions and the results as the limitations of the method are described .

四 甲基硅烷作反应气的化学电离质谱对卟啉的分析能提供有关 M+73]~+离子和分子结构的信息。本文研究了该方法的实验条件、分析结果和局限性。

Multiphoton ionization ( MPI ) mass spectra distributions of tetramethylsilane in gaseous phase are investigated using a quadrupole mass spectrometer and a pulsed molecular beam at 355 nm laser radiation .

在 355nm的激光 作用 下，利用 扩散分子束技术和四极质谱装置相结合研究了气相 Si （ CH3 ） 4分子多光子电离（MPI）质谱分布。

During the deposition of nanocrystalline silicon carbide films with the increase of tetramethylsilane concentration in the reactive gas source the crystal structure of silicon carbide whose grain size decreases changes from hexagonal to cubic and the particle shape changes from spherical to cauliflower-like .

在制备纳米碳化硅薄膜的沉积过程中，随着 四 甲基 硅烷浓度的增大，纳米碳化硅晶体结构由六方转变为立方结构，颗粒形状由球状变为菜花状。